Fabrikant Productnummer:
IPI26CN10N G
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IPI26CN10N G-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 71W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Voorraad:
12801346
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IPI26CN10N G Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
26mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 39µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2070 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
71W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI26C
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
500
Andere namen
SP000208932
SP000680726
IPI26CN10NG
IPI26CN10N G-DG
Milieu- en Exportclassificatie
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
IPB65R660CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A D2PAK
IPB80N06S2H5ATMA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
